大(dà)家好(hǎo)，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美光公(gōng)司在华销售的产(chǎn)品未通过(guò)网络安(ān)全审查(chá)

　　据网(wǎng)信办消息(xī)，日前(qián)，网(wǎng)络(luò)安全审查办公室(shì)依法对美光公司在华销售产(chǎn)品进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查(chá)发现，美光公司产品存在较严(yán)重网络安全问题隐患(huàn)，对我(wǒ)国关(guān)键(jiàn)信息基础设施供应链造(zào)成重大安全风险，影响我国(guó)国家安全。为此，网络安全审查办公(gōng)室依法作出不(bù)予通(tōng)过网络安(ān)全审查的结论。按照《网络安全法》等法律法(fǎ)规(guī)，我国内关键信息基础设施的(de)运营者应停止采购美光(guāng)公司产(chǎn)品。

　　此(cǐ)次对美光公司产(chǎn)品进(jìn)行网络安(ān)全(q3ce是什么档次，3ce是什么档次的牌子uán)审(3ce是什么档次，3ce是什么档次的牌子shěn)查，目的(de)是防(fáng)范产品网络(luò)安全问题危(wēi)害国家关键信(xìn)息基础设施安(ān)全，是(shì)维(wéi)护国家安全的必要措施。中国坚定推进高水平对外(wài)开放，只要遵(zūn)守中国法律法规要求(qiú)，欢迎各国企业、各类平(píng)台产品服(fú)务进入中国市场。

　　3月31日(rì)，中国(guó)网信网(wǎng)发(fā)文(wén)称，为保障(zhàng)关键信息基础设施供应链安全，防范产(chǎn)品(pǐn)问题(tí)隐患造成网络安全风险(xiǎn)，维护国家安全，依(yī)据(jù)《中华人民共(gòng)和(hé)国(guó)国家安全法》《中华人民(mín)共和国(guó)网(wǎng)络安全法》，网络安全审查办公室按照《网络安全审查(chá)办(bàn)法(fǎ)》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是(shì)美国的存储芯片行业龙头，也是全(quán)球存储芯片(piàn)巨头之一，2022年收入来自(zì)中国(guó)市(shì)场收入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约(yuē)11％。根据(jù)市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存(cún)）市场份额(é)约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波(bō)龙、佰维存(cún)储等(děng)公司披露过美光等国际存储厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美(měi)光在江波(bō)龙采购占比已经显著下(xià)降，至少(shǎo)已经不是主要(yào)大供(gōng)应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波(bō)龙第一(yī)大(dà)存储晶圆供应(yīng)商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙(lóng)第(dì)一大、第二大和第三大(dà)供(gōng)应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存(cún)储产(chǎn)业链上下(xià)游(yóu)建(jiàn)立国内外广泛(fàn)合作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与三(sān)星、美光、西部数据等主要(yào)存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂签署(shǔ)了长期合约，确(què)保(bǎo)存储晶(jīng)圆供应的(de)稳定性，巩(gǒng)固公(gōng)司在下游(yóu)市场的(de)供应(yīng)优势(shì)，公(gōng)司也与(yǔ)国内国(guó)产(chǎn)存储晶圆原厂(chǎng)武汉长(zhǎng)江存储、合(hé)肥长鑫保持(chí)良(liáng)好(hǎo)的合作。

　　有券商此(cǐ)前就分(fēn)析，如果美光在中国区(qū)销售受到限制，或将导致下游客户转(zhuǎn)而采购(gòu)国外三星(xīng)、 SK海(hǎi)力(lì)士(shì)，国内长江存储(chǔ)、长鑫存储(chǔ)等竞对(duì)产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的(de)上游设备厂或(huò)从中受(shòu)益。存储器(qì)的生产(chǎn)已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻(kè)蚀和(hé)薄膜成为最关(guān)键(jiàn)、最(zuì)大量的(de)加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目(mù)前前(qián)沿要刻(kè)到 60：1的(de)深(shēn)孔，未(wèi)来可能会更(gèng)深的孔或者沟槽，催生更多(duō)设(shè)备需求。据东京电子(zi)披露，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本开支合(hé)计为75％。自长江(jiāng)存储(chǔ)被(bèi)加入美(měi)国限制名单(dān)，设(shè)备国产化进程加速，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉积(jī)）等相关公司份额提(tí)升，以及(jí)存储业务占(zhàn)比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛(shèng)美(měi)上海（清洗）等收入增长。

未经允许不得转载：腾众软件科技有限公司 3ce是什么档次，3ce是什么档次的牌子